620014 г. Екатеринбург
ул. Московская, д. 29
тел. +7 (343) 371-45-36

Новости

19 Января 2017

Мировое издательство опубликовало книгу сибирских ученых

НОВОСИБИРСК. В издательстве Elsevier вышла книга, посвященная полупроводниковым структурам в области физики. В создании сборника приняли участие сибирские ученые Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, а также их коллеги из России и стран Европы, Америки, Юго-Восточной Азии.

Сборник выпущен под редакцией академиков Александра Латышева, Александра Асеева и члена-корреспондента РАН Анатолия Двуреченского. В книге рассказывается о современных достижениях физики конденсированных сред, полупроводников и диэлектриков, низкоразмерных систем, а также физико-химических основ опто- и наноэлектроники. 

Новые подходы в физике и технологии молекулярно-лучевой эпитаксии, приведенные в монографии, обеспечили создание таких материалов  как двумерный полуметалл и топологический изолятор.  Это новой класс квантовых материалов с уникальными свойствами, который получил широкую известность в связи с Нобелевской премией по физике в 2016 году. 

Использование квантовых эффектов в полупроводниковых системах пониженной размерности представляет основной тренд развития электроники нового поколения. Как следствие, возникает необходимость  получения совершенных кристаллов, тонких пленок, многослойных гетеросистем и структур пониженной размерности. В монографии представлен анализ основных физических закономерностей роста и дефектообразования в таких системах с целью направленного управления этими процессами при эпитаксиальном росте, радиационном облучении ионами и электронами, термическом отжиге. Кроме того, практически значимыми являются примеры разработки  приборных структур: фотоприемников инфракрасного излучения, однофотонных излучателей, элементов памяти, трехмерных подвешенных структур, оптического мультиплексора.

В монографии также описаны исследования атомных процессов и электронных явлений на поверхности полупроводников и границах раздела полупроводниковых структур, квантовых эффектов в структурах пониженной размерности, прежде всего, в эпитаксиальных сверхрешетках и гетероструктурах с квантовыми ямами, нитями и точками. 

Книга представляет интерес для научных работников, аспирантов и студентов старших курсов вузов, специализирующихся в области наноматериалов, электронных и оптических явлений в наноструктурах, нано- и оптоэлектронике. Кроме того, она была бы полезна иностранным студентам физического факультета Новосибирского государственного университета, так как в её написании приняли участие практически все преподаватели кафедры физики полупроводников.  

Издаваемые в Elsevier книги имеют очень высокий рейтинг и являются настольными для многих научных групп. Представленный сборник существенно повышает узнаваемость российских ученых, способствует увеличению престижа российской науки и представляет результаты исследований, проводимых в СО РАН, мировому сообществу. Так, академик А.Асеев презентовал монографию на Общем собрании СО РАН, отметив её значимость в череде важных достижений 2016-го года, сделанных сибирскими учёными.

Источник: газета «Наука в Сибири»

Календарь новостей

Пн Вт Ср Чт Пт Сб Вс
    1 2 3 4 5
6 7 8 9 10 11 12
13 14 15 16 17 18 19
20 21 22 23 24 25 26
27 28 29 30      
Поиск по новостям
© 2006 — 2007 Институт экономики Уральского отделения Российской академии наук

г. Екатеринбург
ул. Московская, д. 29

+7 (343) 371-45-36